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Huawei treibt Entwicklung von 3nm-Halbleiterchips voran
Huawei setzt neue Maßstäbe in der Chipfertigung und startet die Entwicklung zweier hochmoderner 3nm-Chips. Trotz strenger US-Handelssanktionen, die den Zugang zu modernsten Halbleitertechnologien blockieren, verfolgt der chinesische Technologiekonzern ehrgeizig den Ausbau seiner Halbleiterkompetenzen. Damit markiert Huawei einen wichtigen Meilenstein im globalen Wettbewerb der Chipindustrie.
Zwei Innovationspfade: GAA-FET und Kohlenstoffnanoröhren
Branchengerüchten und Berichten aus Taiwan zufolge verfolgt Huawei eine zweigleisige Strategie. Einerseits entwickelt das Unternehmen einen 3nm-Chip auf Basis der Gate-All-Around (GAA)-FET-Technologie. Diese neuartige Transistorstruktur verspricht eine deutliche Steigerung von Energieeffizienz und Prozessorleistung. Darüber hinaus arbeitet Huawei an Halbleitern mit Kohlenstoffnanoröhren (CNT), die einen potenziellen Technologiesprung gegenüber herkömmlichen Siliziumchips darstellen. Beide Chip-Designs sollen bis 2026 das Tape-Out-Stadium erreichen. Bei planmäßigem Fortschritt wäre ein Produktionsstart bereits 2027 möglich.
Aufbauend auf bisherigen Erfolgen und technologische Hürden
Huaweis Chipstrategie knüpft an jüngste Erfolge an, wie die Entwicklung des 5nm Kirin X90 durch SMIC – trotz fehlender EUV-Lithographie von ASML. Mit Deep Ultraviolet (DUV)-Lithographie und aufwendigen Multi-Patterning-Verfahren gelang SMIC der Fertigungsdurchbruch, wenngleich sich die Ausbeute (Yield) mit etwa 20% deutlich hinter Branchenführern wie TSMC und Samsung bewegt, die auf modernste EUV-Lithographie setzen.
Während GAA-FET-Chips bei Leistung und Energieeinsparung gegenüber bisherigen Kirin-Generationen punkten könnten, bieten Kohlenstoffnanoröhren die Möglichkeit, Siliziumgrenzen zu überwinden – auch wenn deren wirtschaftliche Umsetzung noch offen ist.
Herausforderungen, Konkurrenz und die Zukunft des Halbleitermarktes
Die größte Herausforderung bleibt die Ausbeute: Bei der extrem kleinen 3nm-Strukturgröße verschärfen sich die Defizite der DUV-Lithographie, was Fertigungskosten und Herstellungsaufwand erhöht. Dennoch investiert Huawei mehr als 37 Milliarden US-Dollar in die nationale Entwicklung eigener EUV-Lithographieanlagen. Fachleute und Branchenbeobachter zeigen sich optimistisch, dass Huawei bis 2026 entscheidende EUV-Technologiefortschritte erzielen könnte — und damit die Abhängigkeit von internationalen Zulieferern reduziert. Skepsis bleibt jedoch, da etablierte Anbieter wie ASML den EUV-Markt dominieren.
Markteinfluss und globale Bedeutung
Gelingt es Huawei, konkurrenzfähige 3nm-Chips mit GAA-FET- oder Kohlenstoffnanoröhren-Architektur zu liefern, könnte das den Rückstand zu Marktführern wie TSMC und Samsung deutlich verkleinern. China würde damit seine Position im globalen Chip-Wettlauf stärken und die Innovations- sowie Wettbewerbsdynamik der gesamten Halbleiterbranche anregen. Doch es bleiben Herausforderungen wie niedrige Ausbeuten und die Abhängigkeit von DUV-Verfahren.
Mit Blick auf 2026 beobachtet die Technologiewelt gespannt, ob Huawei die nächsten Durchbrüche bei der Entwicklung von 3nm-Chips gelingt und damit langfristig das globale Halbleiterökosystem beeinflusst.
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